Компания Samsung заявила о том, что уже готова к производству смартфонов с 1 ТБ памяти. Корейский гигант анонсировал первый в мире чип eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage), который справится с таким количеством данных.
Система имеет такие же размеры, что и 512-гб модель (11,5 x 13 мм), базируется на 16 слойной флэш-памяти V-NAND и новом контроллере. Если речь идет о производительности, то Samsung утверждает, что чип позволит последовательное чтение с максимальной скоростью на уровне 1000 МБ/с, а максимальная скорость последовательной записи составляет 260 МБ/сек. Новинка действительно впечатляет, особенно если сравнивать ее с до сих пор используемыми решениями.
Samsung уже 20 февраля должен показать новые флагманские смартфоны серии Galaxy S, а также свой первый смартфон с гибким экраном – модель Galaxy F/Flex. Слухи предполагали, что эти устройства могут получить 1 ТБ памяти на данные, и теперь мы знаем, что, скорее всего, так и будет. Вопрос только в том, насколько новая система повысит цены на оборудование?
