Samsung Semiconductor представила первый на рынке универсальный флеш-накопитель четвертого поколения (UFS 4.0). О разработке перспективной твердотельной памяти южнокорейский производитель сообщил в Twitter.
Из обнародованной спецификации следует, что пропускная способность флеш-накопителя составляет 23,2 Гбит/с. Для сравнения: у UFS третьей генерации она составляет 11,6 Гбит/с. Инженеры Samsung Semiconductor утверждают, что новый стандарт является идеальным решением для 5G-устройств, поскольку им приходится заниматься обработкой больших объемов данных. Кроме этого, UFS 4.0 можно использовать в VR-гарнитурах и автомобильных компьютерах.
Усовершенствованная память V-NAND седьмого поколения позволит смартфонам обрабатывать запросы намного быстрее. Энергоэффективность UFS 4.0 на 46% выше, чем у предшественника. Это означает, что аккумуляторы смартфонов будут разряжаться медленнее.
Серийное производство нового флеш-накопителя будет начато Samsung Semiconductor в третьей четверти текущего года. Новейшей разработкой уже успели заинтересоваться конкурирующие с Samsung производители мобильных устройств.
После появления отчетов о проблемном использовании искусственного интеллекта для создания неприемлемых изображений на телефонах Huawei,…
Речники 47-ї ОМБР "Магура" озвучили офіційну позицію керівництва підрозділу щодо ситуації з танками Abrams, які,…
Спикеры 47-й ОМБР "Магура" озвучили официальную позицию руководства подразделения относительно ситуации с танками Abrams, которые,…
Українські військові продемонстрували перехоплення безпілотного розвідника окупантів "Орлан-10" за допомогою легкомоторного двомісного літака Як-52. Інцидент…
Украинские военные продемонстрировали перехват беспилотного разведчика оккупантов "Орлан-10" с помощью легкомоторного двухместного самолета Як-52. Инцидент…
Украинские бойцы из бригады ГПСУ "Помста" сообщили о сбитом российском разведывательном беспилотнике "Орлан-10" неподалеку от…