Перспективний смартфон Realme GT 3 напередодні офіційного анонсу потрапив до рук фахівців Geekbench, які протестували пристрій на продуктивність.
Подробиці
Презентація девайса очікується 28 лютого. Лістинг Geekbench розкрив деякі характеристики апарату, головною “заманухою” якого є небачена ніколи раніше швидка зарядка SuperVOOC на 240W.
У базі даних бенчмарка апарат названий Realme RMX3709. Під цим же кодовим позначенням пристрій фігурує в лістингах Bluetooth SIG, індонезійського регулятора TKDN, тайського NBTC і євроазіатської комісії ЄЕК.
Згідно з лістингом Geekbench, пристрій обладнано процесорною системою Qualcomm з частотою 3,00 ГГц. Під цим позначенням може ховатися Snapdragon 8 Gen 1 або більш “розігнаний” аналог SD8+ Gen1.
У звіті також зазначено, що пристрій має 16 Гб оперативної пам’яті і працює під управлінням ОС Android 13. В одноядерному і багатоядерному “прогонах” телефон набрав 1265 і 3885 балів відповідно. Інші характеристики GT 3 можуть бути ідентичні характеристикам моделі Neo 5 (1,5К-дисплей OLED 6,74″/144 Гц, оперативка LPDDR5, накопичувач UFS 3.1, АКБ 4600 мА/год, Android 13/RealmeUI 4.0, селфі-датчик на 16 Мп і головна камери на 50/8/2 Мп).
Церемонія презентації GT 3 відбудеться на полях галузевого форуму MWC 2023 у заключний день лютого. Ціна і географія продажів поки залишаються тримаються в секреті.
