Перспективный смартфон Realme GT 3 в преддверии официального анонса попал в руки специалистов Geekbench, которые не преминули протестировать устройство на производительность.
Подробности
Презентация девайса ожидается 28 февраля. Листинг Geekbench раскрыл некоторые характеристики аппарата, главной «заманухой» которого является невиданная никогда ранее быстрая зарядка SuperVOOC на 240W.
В базе данных бенчмарка аппарат именуется Realme RMX3709. Под этим же кодовым обозначением устройство фигурирует в листингах Bluetooth SIG, индонезийского регулятора TKDN, тайского NBTC и евроазиатской комиссии ЕЭК.
Согласно листингу Geekbench, устройство оборудовано процессорной системой Qualcomm с частотой 3,00 ГГц. Под этим обозначением может скрываться Snapdragon 8 Gen 1 либо более «разогнанный» аналог SD8+ Gen1.
В отчете также указано, что устройство имеет 16 Гб оперативной памяти и работает под управлением ОС Android 13. В одноядерном и многоядерном «прогонах» телефон набрал 1265 и 3885 баллов соответственно. Остальные характеристики GT 3 могут быть идентичны характеристикам модели Neo 5 (1,5К-дисплей OLED 6,74”/144 Гц, оперативка LPDDR5, накопитель UFS 3.1, АКБ 4600 мА/ч., Android 13/RealmeUI 4.0, селфи-датчик на 16 Мп и головная камеры на 50/8/2 Мп).
Церемония презентации GT 3 состоится на полях отраслевого форума MWC 2023 в заключительный день февраля. Цена и география продаж пока остаются держатся в секрете.
